SDMI（Secure Digital Music Initiative，安全式数字音乐）
SNR（Signal to Noise Ratio，信噪比）
S/PDIF（Sony/Phillips Digital Interface，索尼/飞利普数字接口）
SP（Stream Processor，音频流处理器）
SPU（Sound Processor Unit，声音处理器）
SPX（Sound Production Experience，声音生成体验）
SPX（Sound Production eXtensions，声音生成扩展）
SRC（Sampling Rate Convertor，采样率转换器，把48KHz转为MD适用的44.1KHz）
SRS（Sound Retrieval System，声音修复系统）
Surround Sound（环绕立体声）
Super Intelligent Sound ASIC（终极智能音频集成电路）
TAD（Telephone Answering Device，电话应答设备）
TC（Time Scaling，时间缩放）
TDMA（Transparent DMA，透明DMA）
THD N（Total Harmonic Distortion plus Noise，总谐波失真加噪音）
TOC (Table Of Contents，MD内容表，包括磁盘名称、轨数、演奏时间）
VPT（Virtual Phone Technology C Acoustic Engine，虚拟耳机音效技术音响动力引擎）
TVA（Time Variable Amplitude，可随时间变化的音量）
TVF（Time Variable Filter，可随时间变化的滤波器）
UDAC-MB（universal distribution with access control-media base，通用分配存取控制媒体基准）
UTOC (User Table of Contents，可录式MD内容表)
VBR（Variable Bit Rate，动态比特率）
WG（Wave Guide，波导合成）
WT（Wave Table，波表合成）
6、RAM & ROM
ABB（Advanced Boot Block，高级启动块）
ABP: Address Bit Permuting，地址位序列改变
ADT（Advanced DRAM Technology，先进DRAM技术联盟）
AL（Additive Latency，附加反应时间）
ALDC（Adaptive Lossless Data Compression，适应无损数据压缩）
APM（Automated Precision Manufacturing，自动化精确生产）
ATC（Access Time from Clock，时钟存取时间）
ATP（Active to Precharge，激活到预充电）
BEDO（Burst Enhanced Data-Out RAM，突发型数据增强输出内存）
BPA（Bit Packing Architecture，位封包架构）
AFC media（antiferromagnetically coupled media，反铁磁性耦合介质）
BLP（Bottom Leaded Package，底部导向封装）
BSRAM（Burst pipelined synchronous static RAM，突发式管道同步静态存储器）
CAS（Column Address Strobe，列地址控制器）
CCT（Clock Cycle Time，时钟周期）
CDRAM（Cache DRAM，附加缓存型DRAM）
CL（CAS Latency，CAS反应时间）
CMR（Colossal Magnetoresistive，巨磁阻抗）
CPA（Close Page Autoprecharge，接近页自动预充电）
CSP（Chip Size Package，芯片尺寸封装）
CTR（CAS to RAS，列地址到行地址延迟时间）
DB: Deep Buffer（深度缓冲）
DD（Double Side，双面内存）
DDBGA（Die Dimension Ball Grid Array，内核密度球状矩阵排列）
DDR（Double Date Rate，上下行双数据率）
DDR SDRAM（Double Date Rate，上下行双数据率SDRAM）
DRCG（Direct Rambus Clock Generator，直接RAMBUS时钟发生器）
DIL（dual-in-line）
DIVA（Data IntensiVe Architecture，数据加强架构）
DIMM（Dual In-line Memory Modules，双重内嵌式内存模块）
DLL（Delay－Locked Loop，延时锁定循环电路）
DQS（Bidirectional data strobe，双向数据滤波）
DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器）
DRDRAM（Direct RAMBUS DRAM，直接内存总线DRAM）
DRSL（Direct RAMBUS Signaling Level，直接RAMBUS信号级）
DRSL（Differential Rambus Signaling Levels，微分RAMBUS信号级）
DSM（Distributed shared memory，分布式共享内存）
ECC（Error Checking and Correction，错误检查修正）
ED（Execution driven，执行驱动）
EDO（Enhanced Data-Out RAM，数据增强输出内存）
EHSDRAM（Enhanced High Speed DRAM，增强型超高速内存）
EL DDR（Enhanced Latency DDR，增强反应周期DDR内存）
EMS（Enhanced Memory System，增强内存系统）
EMS（Expanded Memory Specification，扩充内存规格）
EOL（End of Life，最终完成产品）
EPROM（erasable, programmable ROM，可擦写可编程ROM）
EPOC（Elevated Package Over CSP，CSP架空封装）
EPV（Extended Voltage Proteciton，扩展电压保护）
ESDRAM（Enhanced SDRAM，增强型SDRAM）
ESRAM（Enhanced SRAM，增强型SRAM）
EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电擦写可编程只读存储器）
FCRAM（Fast Cycle RAM，快周期随机存储器）
FEMMA（Foldable Electronic Memory Module Assembly，折叠电子内存模块装配）
FM（Flash Memory，快闪存储器）
FMD ROM （Fluorescent Material Read Only Memory，荧光质只读存储器）
FPM（Fast Page Mode，快页模式内存）
HDSS（ Holographic Data Storage System，全息数据存储系统）
HMC（holographic media card，全息媒体卡）
HMD（holographic media disk，全息媒体磁盘）
HSDRAM（High Speed DRAM，超高速内存）
LRU（least recently used，最少最近使用）
MADP（Memory Address Data Path，内存地址数据路径）
MDRAM（Multi Bank Random Access Memory，多储蓄库随机存储器）
MRAM（Magnetic Random Access Memory，磁性随机存取存储器）
ns（nanosecond，纳秒，毫微秒，10亿分之一秒）
NVRAM（Non-Volatile RAM，非可变性RAM）
NWX（no write transfer，非写转换）
ODR（Octal Data Rate，八倍数据率）
ODT（on-die termination，片内终结器）
OP（Open Page，开放页）
PIROM：Processor Information ROM，处理器信息ROM
PLEDM: Phase-state Low Electron（hole）-number Drive Memory
PLL（Phase Lock Loop，相位锁定环）
PRISM（Photorefractive Information Storage Material，摄影折射信息存储原料）
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